Loop Growth and Point-Defect Profiles during HVEM Irradiation

The point-defect profile in a thin foil is included in the model for the growth of dislocation loops during HVEM irradiation suggested by Kiritani, Yoshida, Takata, and Maehara, and the possible effect of divacancies is discussed. It is found that there is a fairly wide transition range between the two extreme cases described by Kiritani et al. (the vacancy- and the surface-dominant case); this can directly (without the necessity of a divacancy effect) explain the observation of apparent activation energies for loop growth smaller than 1/2 Emath image (where Emath image is the vacancy migration energy). Even after the inclusion of the point-defect profiles there are indications that the model cannot fully account for the loop growth behaviour in situations where surface losses and recombination losses are comparable. Das Punktdefektprofil in einer dünnen Folie wird in das von Kiritani, Yoshida, Takata und Maehara vorgeschlagene Modell für das Wachstum der Versetzungsringe unter Bestrahlung im Hochspannungselektronenmikroskop eingeschlossen, und der mögliche Effekt von Doppelleer-stellen wird diskutiert. Es wird gefunden, daß es zwischen den zwei von Kiritani u. a. beschriebenen extremen Fällen (dem Fall der Leerstellendominanz und dem Fall der Oberflächendominanz) ein ziemlich weites Übergangsgebiet gibt; dieses kann unmittelbar (ohne die Notwendigkeit eines. Doppelleersteleneffekts) die Beobachtung scheinbarer Aktivierungsenergien kleiner als 1/2 Emath image (wo Emath image die Leerstellenwanderungsenergie ist) erklären. Auch nach dem Einschließen der Punktdefektprofile gibt es Anzeichen, daß das Modell das Wachstum der Versetzungsringe im Falle, wo Oberflächen- und Rekombinationsverluste vergleichbar sind, nicht völlig erklären kann.