Plasma aktiveret stue temperatur bonding er undersøgt med røntgen refleksivitet. Denne bonde type er interessant, da man kan opnå en høj styrke af bondingen allerede ved stuetemperatur. hvilket gør metoden anvendelig til fremstilling af komponenter, der er varmefølsomme, og derved ikke kan fremstilles ved konventionel waferbonding. Årsagen til den høje bonde-styrke og den generelle mekanisme bag processen er stadig uklar og formålet med målingerne var at opnå strukturel information om bonde interfacet og derved opnå en bedre mikroskopisk forståelse af processen. De strukturelle undersøgelser er kombineret med standard karakteriserings metoder indenfor waferbonding teknologi. To typer af aktiveringssystemer er blevet undersøgt i forhold til, hvordan forskellig proces parametre påvirker bondestyrken og strukturen af bondegrænsefladen. Proces parametrene for de to systemer blev optimeret i forhold til bonde styrken og bondestyrker på optil 1.6 Jm-2 blev målt. Dette svarer til bondestyrken af direkte hydrofob bondede wafere opvarmet til 600 - 700 grader. Den anden del af afhandlingen er relateret til fremstilling af bølgeledere ved brug af standard silicium proces, teknologi i kombination med waferbonding. Anvendelsen af røntgenbølgeledere til at fremstille intense velfokuserede mikro eller nano beams åbner op for et helt nyt område indenfor spredning, mikroskopi og spektroskopi med opløsninger ned i nanometer området. Vi har fremstillet både en og to dimensionale strukturer i silicium, og succesfuldt demonstreret at de fremstillede strukturer udviser bølgeleder egenskaber. Ved at bruge luft som guide medium er vi ikke begrænset af absorption og kan derved lettere opnå enkelt mode guidning.